I samriskbolaget IM Flash Technologies har Intel och Micron utvecklat NAND flashminnesteknik som ger minneskretsarna upp till fem gånger högre läs- och skrivhastighet.
Med den nya NAND-tekniken kan läshastigheter på upp till 200 megabyte per sekund och skrivhastigheter på upp till 100 megabyte per sekund uppnås.
De nya höghastighets-NAND-kretsarna är baserade på ONFI 2.0-industristandarden och en arkitektur i fyra plan samt med högre klockfrekvenser än tidigare. Minneskretsarna, som produceras med 50-nanometerstknik, är tänkta att ta plats som lagringslösningar i elektroniska apparater och datorprodukter på konsumentmarknaden.
Enligt Intel och Micron ska de nya NAND-kretsarna göra det möjligt att skapa nya inbäddade och löstagbara lagringslösningar som drar fördel av högpresterande systemgränssnitt som PCIe och kommande standarder som USB 3.0. Använda tillsammans med de högpresterande systemgränssnitten kan konventionella NAND flashminnen utgöra flaskhalsar i systemen.
Micron har inlett provproduktion av de nya snabba minneskretsarna i kapaciteteter på mellan 8 och 32 gigabit. Dessa kretsar kan fogas samman till minneskort eller minnesmoduler med varierande lagringskapacitet. Någon massproduktion väntas dock inte komma igång förrän under årets senare hälft.
Av: Mats Andersson