Flashminnen på upp till 128 gigabyte säger sig Samsung kunna ta fram med hjälp av 64-gigabits NAND-flashkretsar producerade med 30-nanometersteknik.
För tillfället produceras samtliga Samsungs flashminneskretsar med 50-nanomtersteknik, men nästa år ska man börja producera 32-gigabitskretsar med 40-nanometersteknik. Året efter är det dags för Samsung att gå över till 30-nanometersteknik för volymproduktion av 64-gigabitskretsar.
Genom att kombinera upp till 16 stycken NAND-flashminneskretsar kan minneskort med lagringskapaciteter på upp till 128 gigabyte produceras.
Samsung hävdar att man är först i världen med att ha utvecklat 64-gigabitskretsar med 30-nanometersteknik och säger att man med den nya minneskretsen markerar det åttonde året i rad som datatätheten i NAND-flashminneskretsar har fördubblats.
Av: Mats Andersson